GaAs MMIC

  Серия GaAs MMic обладает конкурентноспособной ценой и доступна в двух видах корпусов: SOT-89 и SOIC-8. Все усилители изготовлены на основе арсенида галлия (GaAS). Большинство устройств работают от  постоянного тока с частотой до 4 ГГц. Устройства компании RFHIC соответствуют стандарту RoHS.

GaN усилители для импульсных РЛС

  Усилители для импульсных РЛС имеют широкие частотные диапазоны и высокий уровень мощности. Высокая эффективность достигнута благодаря применению в устройствах нитрида галлия (GaN). Усилители компании RFHIC соответствуют стандарту RoHS.

Усилители для систем связи

  В сериях RFP, RFM и RTP используется нитрид галлия (GaN), который позволяет усилителям работать при высоких температурах и напряжениях. Эти силовые усилители сконструированы для работы в диапазоне частот от 800 MГц до 2,8 ГГц. Усилители для систем связи компании RFHIC применяются в сетях LTE, CDMA, WCDMA, и WiMAX.

GaN широкополосные усилители

  В сериях RFP, RFM и RTP используется нитрид галлия (GaN), который позволяет усилителям работать при высоких температурах и более высоких напряжениях. Эти силовые усилители сконструированы для работы в диапазоне частот от 800 MГц до 2,8 ГГц. Усилители для систем связи компании RFHIC применяются в сетях LTE, CDMA, WCDMA, и WiMAX.

Малошумящие усилители

  Во всех низкошумовых гибридных усилителях серии CL, LCL и WL используется технология нитрида галия на подложках из карбида кремния (SiC). Диапазон работы усилителя от 2 МГц до 4 ГГц. Серии CL и WL работают при мощности входного сигнала 25 дБм и модели с использованием диодного ограничителя работают при мощности входного сигнала 30 дБм. Серия WL работает в диапазоне частот от 50 до 2000 МГц.

CATV гибридные усилители

  CATV гибридные усилители работают в диапазоне частот до 1 ГГц. Усилители имеют расширенную пропускную способность и высокую скорость передачи данных, что позволяет применять их в телетрансляциях с высоким разрешением, цифровом телевидении и цифровой телефонии. Усилители с частотой 870 МГц и 1 ГГц работают при высоких температурах, напряжениях, при больших уровнях электростатического разряда.