Транзистор IGBT представляет собой транзистор p-n-p, управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора с индуцированным каналом через высоковольтный N-канальный полевой транзистор. Эта технология позволила соединить в одном элементе достоинства полевыхи биполярных транзисторов. У IGBT практически отсутствуют входные токи, они имеют отличные динамические характеристики, не уступающие MOSFET.

Технические параметры радиационно-стойких IGBT-транзисторов