Данные устройства с выходной мощностью 50 и 100 Вт обладают улучшенными характеристиками по сравнению с усилителями на арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторах или лампах бегущей волны (ЛБВ).
«Новое семейство нитрид-галлиевых (GaN) HEMT транзисторов является самой перспективной технологией, которая, по нашему мнению, установит новые стандарты в уровнях КПД и производительности для высокочастотных и высокомощных систем спутниковой связи и радиолокации Х-диапазона», — рассказывает Джим Миллиган, директор СВЧ направления компании Cree.
По его мнению, высокая производительность, достигаемая за счет увеличенной выходной мощности, линейности и коэффициента усиления, совместно с малым размером рабочей поверхности позволит добиться существенного превосходства над усилителями, основанными на GaAs транзисторах или ЛБВ.
Обновленное семейство компонентов характеризуется отличными температурными показателями и низким энергопотреблением, что отразится на расширении круга применений в радиоэлектронных системах.
При этом новые транзисторы имеют меньшую стоимость, чем усилители на ЛБВ, применяемые с системами питания высокого напряжения при сохранении линейности усиливаемого сигнала.
Новое семейство транзисторов Х-диапазона состоит из четырех позиций: двух для спутниковых систем связи (CGHV96050F1 и CGH96100F1) и двух для радарных систем (CGHV96050F2 и CGHV96100F2). Все четыре транзистора предлагаются в малом корпусе, размером 0,9×0,7 дюйма.
| Продукт | Выходная мощность @ VDD=40V | Частота | КПД |
| CGHV96050F1 | 50 Вт (25 Вт линейная OQPSK) | 7,9-8,4 ГГц | 30% (лин) |
| CGHV96100F1 | 100 Вт (50 Вт линейная OQPSK) | 7,9-8,4 ГГц | 28% (лин) |
| CGHV96050F2 | 50 Вт импульсная (100µс, 10% коэф. заполнения) | 8,4-9,6 ГГц | 50% (Psat) |
| CGHV96100F2 | 100 Вт импульсная (100µс, 10% коэф. заполнения) | 8,4-9,6 ГГц | 45% (Psat) |
КПД данных транзисторов в три раза выше КПД аналогов на арсениде галлия GaAs. Более того, широкая рабочая полоса частот позволяет использовать новые транзисторы Cree на нескольких несущих сигналах с полосой разделения 70 МГц.
Нитрид-галлиевые GaN транзисторы дополняют два релиза корпусированных микроволновых микросхем (MMIC): CMPA5585025F и CMPA801B025F , которые могут быть использованы в качестве драйверов для CGHV96050F1/F2 или CGHV96100F1/F2.